| 領域 | 具體貢獻 |
| 半導體光學非破壞性檢測技術發展及半導體光電特性研究(何清華) | 從事半導體光學非破壞性檢測技術之發展與建構，有助於三五族光電半導體廠進行非接觸及非破壞性之晶片檢測，提昇良率及解決問題，另外發展出實用的光學量測技術，也可以對科技發展產生效益。此外進行半導體之光特性與電特性的量測與分析，進行塊材單晶成長，以及探討硫屬化合物半導體之結構與光電特性等，皆有助於發展新型實用的半導體發光材料，光檢測器材料以及能源光電相關材料，藉以為未來的材料科技，略盡棉薄之力。 |
| 新型光電晶體成長(吳慶成、何清華) | 本系同仁專攻新型半導體發光材料-硫屬化合物之晶體成長與光電特性分析，成功備製非晶質與晶質As2(Se1- xSx)3化合物以及一系列GaSe1-xSx單晶，建立其非晶質與晶質材料之能隙與成分x間的關係與進行電子能態結構探討。能隙與成分x間的關係與進行電子能態結構探討。上述硫屬化合物半導體之合成與結構、光電特性研究，有助於發展光檢測器材料以及能源光電相關材料。 |
| 化合物半導體元件（林育賢） | 本系亦有同仁專注於化合物半導體材料的磊晶、材料分析、元件設計、元件製程、元件特性量測及分析、半導體光譜量測等研究。探討之材料包含AlGaAs/InGaAs/GaAs, InGaP/InGaAs/GaAs, InAlGaP/InGaAs/GaAs, InAlAs/InGaAs/InP, 以及新型的InAlAsSb/InP，除少數結構以MBE系統成長外，大都採用MOCVD系統，研究結果可提供學術界與產業界在此領域的創意與特性改進之道。 |
| 電子構裝材料開發(宋振銘) | 在電子構裝材料方面進行“新型晶片構裝接合無鉛銲料性質”及“無鉛銲點機械性質與破壞機制探討”，對各無鉛化銲料之材料開發、材料特性探討以及銲點可靠度評估改善均有具體成果。除可提供實際電子構裝應用設計之依據外，對構裝重鎮的台灣而言，相關材料與製程開發將可免於受到國外單位專利及技術箝制，促進電子產業與貿易發展。 |
| 微/奈米透鏡製作與探討(魏茂國) | 進行各種微/奈米透鏡之開發、特性探討、應用研究，兼具學術及工業應用價值。除可用於平面顯示器背光源之增光片、抗反射膜，以及太陽能電池之聚光與抗反射膜，增進太陽能電池之效率，也可應用於生醫檢測之光子晶體與表面電漿子之應用，促進檢測訊號之強度。 |
| 光電高分子材設計與特性探討(陳素華) | 對於共軛高分子半導體之相行為和分子疊積、以及其與發光性質之間的關聯作了廣泛的觀察與分析。目前可以經由分子設計與製程參數改變控制相結構與分子疊積以進行材料性質調整。此外，對共軛高分子薄膜結構有獨特發現與見解，對共軛高分子之相變機制以及元件之載子輸送行為有深遠的效應。 |