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Honda製作高純度金屬型奈米碳管的技術

Honda 公司已經找出分別製作「金屬型」與「半導體型」奈米碳管的技術,有助於奈米碳管的量產化,對電子零組件、太陽電池等的材料的省力化居功厥偉,也有助於奈米碳管的實用化。該公司的美國研究發展子公司「HRI-US」,與Purdue.........

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以微量銦開發出耐濕性佳的氧化鋅型液晶面板用透明導電膜

日本高知工科大學研究團隊與化學製造商HAKUSUI TECH公司,以氧化鋅(ZnO)為主材料,開發出液晶面板不可或缺且耐濕性優越的「透明導電膜」產品。主流的透明導電膜雖皆是銦錫氧化物(ITO)所製成,但因銦(In)之價值較高難以穩定供.........

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銀奈米粒子使太陽電池轉換率提高

美國俄亥俄州立大學電機及物理學教授Paul Berger所領導的研究小組目前發表研究,在高分子太陽電池中加入少量的銀,可加速電流產生,使轉換率提高。其報告刊登於Solar Energy Materials and Solar Cells中。.........

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東北大學將陶瓷與高分子平均混合 邁向高機能材料之路

東北大學阿尻雅文教授研究團隊將有機高分子與無機陶瓷粒子兩者平均混合,開發出製作新材料之技術。一般而言,高分子與無機粒子親合性差、不易混合,藉由利用攝氏374度高溫、氣壓高達約220hPa之達到「超臨界」狀態的水分子,.........

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熱電技術發展現況

近年來,由於能源短缺及溫室效應問題日趨嚴重,節能減碳及開發再生能源的需求越來越重要。熱電技術由於材料及設計技術的提昇使得性能大幅增加,也使得其應用 逐漸受到重視。由於任何能量的轉換及傳輸都會伴隨熱的產生,如能將.........

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強度1.7倍且毋需接著劑、不易剝落的鋁與碳素纖維之接合技術

製造和販售鋁加工製品的日本三力工業,開發出鋁與高強度碳素纖維的接合技術。這種在鋁的表面施以特殊加工,使碳素纖維得以附著的技術,與以往使用接著劑的接合方式相比,更不易剝落。

該種接合技術是應用鋁的表面加.........

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10分鐘檢測出病毒的新技術

日本北海道大學的居城邦治教授、新倉謙一準教授等人,使用奈米尺度的超微粒子,開發出可以快速且輕易的檢測出液體中病毒(Virus)的技術。奈米粒子大量聚集至病毒表面,將產生顏色的改變。研究人員利用腦炎的porioma病毒加以.........

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以塗佈低分子開發出新型有機薄膜太陽能電池

日本東京大學中村榮一教授研究團隊與三菱化學合作,開發出新型有機薄膜太陽能電池,同時以2015年為目標期望達到實用化水準。研究團隊於電極上塗佈可提升能源轉換效率的低分子材料,以這種簡化的方式來進行製作。以往的製作方.........

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「2009年中國材料科學學會年會」

「第十二屆全國機構與機器設計學術研討會」

「CAFEO27國際會議」

「第八屆海峽兩岸新型炭材料學術研討會」

「2009年奈米技術與材料研討會」

「2009年台灣光電科技研討會暨 國科會光電學門研究成果發表會」

「TACT2009 鍍膜科技國際研討會短期課程」

「台灣真空學會2009年年度會議暨論文發表會」

「International Conference on Manufacturing and Engineering Systems (MES 2009)」

「China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC 2010)」

「(PTM2010) for Solid-Solid Phase Transforamtions in Inorganic Materials」

「6th Coatings Science International 2010」

論文標題 超順磁及鐵磁之鎳奈米陣列

Superparamagnetic and ferromagnetic Ni nanorod arrays fabricated on Si substrates using electroless deposition
內容摘要 本研究中在矽基板上製作陽極氧化鋁(AAO)做為模版,並利用無電鍍方式成功的在矽基板上製作出鎳奈米陣列。如下圖(a),在矽基板上的鎳奈米陣列直徑為70 nm,長度為330 nm,aspect ratio為4.7。鎳奈米陣列的直徑與長度受到AAO模板的控制。我們發現利用無電鍍方式所製作的鎳奈米陣列,其微結構與其它相關研究中利用電鍍方式所製作出的鎳奈米陣列有所不同。如下圖(b),無電鍍所製作出的鎳奈米陣列的晶粒尺寸為2~3 nm,而也由於它特殊的微結構所以表現出奇特的磁性質。如下圖(c),我們發現未經退火處理的鎳奈米陣列表現出超順磁(superparamagnetic)的磁性質,而經過400℃不同時間的退火處理後,鎳奈米陣列的磁性質由超順磁轉變為鐵磁(ferromagnetic)。此一磁性的轉變與退火後鎳奈米陣列的微結構變化有直接的關係。如下圖(d),我們發現再退火處理後,鎳奈米陣列會產生晶粒成長,而晶粒成長的方向會平行鎳奈米陣列的長軸。此一研究提供一個快速且與半導體製程相容性高的鎳奈米陣列製程,並發現此鎳奈米陣列有潛力應用製作高頻電感元件。



圖: 鎳奈米陣列 (a) SEM影像 (b)HRTEM影像 (c)磁滯曲線(d)暗視野影像
期刊名稱
主要作者 Chien-Min Liu(1), Yuan-Chieh Tseng(1), Chih Chen(1),(3), Ming-Chieh Hsu(2), Tzu-Yzan Chao(2) and Yu-Ting Cheng(2)

(1) Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsin-chu, 30010, Taiwan, Republic of China

(2) Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsin-chu, 30010, Taiwan, Republic of China

(3)E-mail: chih@mail.nctu.edu.tw

Published in Nanotechnology 20, 415703(2009)

(Impact factor: 3.446, Engineering, Multidisciplinary, 4.41%)

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