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儀器名稱
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雷射直寫光罩製造系統
(Laser Direct Write Lithography System)
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功能介紹
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本系統可將設計好的圖案直接曝光至晶片或製作成光罩。曝光所需時間依圖案面積及最小線寬決定，約在4~10小時之間。此曝光機可提供快速及精確的曝光，主要應用範圍廣泛，從LED
、 TFT、MEMS 、半導體構裝、 各式元件 光罩…等等。非常適合學術及產業研究設計多變化的需求。目前開放的服務項目包括有：光罩書寫製作(4吋及5吋，線寬大於5μm)、晶圓光阻直寫(線寬2μm以下)、線寬精度測量(光罩或晶圓)
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廠商資訊
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機關名稱：國立中興大學研發處貴重儀器中心
(技術員：許鳳玲)
地址:台中市國光路250號
電話:04-22853596
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儀器相片或圖示
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儀器名稱
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X光光電子能譜儀 (XPS)
國立成功大學貴重儀器使用中心
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功能介紹
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X光光電子能譜儀 (X-ray Photoelectron Spectroscope, XPS)，又名化學分析電子能譜儀，是一種利用光電效應對材料表面化學性質進行分析的儀器。其基本功能包括表面元素的定性與半定量分析、各元素的價態或化和狀態分析，以及化學線掃瞄與成像分析。
本設備的其他功能或附加配備有：
(1) 利用聚焦的X光源可對微米尺寸小區域進行局部分析。
(2) 利用掃描式X光源可激發分析區域的二次電子並能獲取形貌影像。
(3) 配備高效率自動化電中和槍。
(4) 配備氬離子槍，可清潔試片表面或濺擊樣品以進行縱深方向的化學分析。
(5) 具有角度解析XPS功能，可對超薄薄膜進行分析。
(6) 具樣品準備腔體(preparation chamber)，可進行各種前處理。
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廠商資訊
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公司名稱: 博精儀器股份有限公司
地址: 台北市基隆路一段159號16樓 電話:02-27467620
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儀器相片或圖示
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儀器名稱
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場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)
暨能量散佈分析儀(EDS)與波長散佈分析儀(WDS)
東華大學奈米科技研究中心儀器
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功能介紹
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利用高速電子束掃描待觀測之試片以獲得試片表面之奈米形貌。其原理為利用電子束具物質波之特性， 以其替代可見光來觀測試片。由於高電壓加速之電子束波長小於可見光之波長(400~750
nm)，因此可獲得可見光無法解析之奈米結構影像。
本機台附有能量散射光譜儀(EDS)與波長分散式光譜儀(WDS)，可進行奈米結構之化學成份分析。 其原理為藉由不同元素在電子射擊下具有不同特徵X射線激發之性質，利用電子束照射試片所激發出之X射線來判別試片中存在之元素及其含量。
EDS與WDS之差別在於其對X射線偵測器之不同。EDS偵測X射線光子之能量而WDS偵測X射線之波長。
本設備的特殊功能包括
(1) 提供二次電子偵測器(Secondary electron detector)
High resolution condition (高解析條件) :
1.2 nm (加速電壓15KV) 或更佳。
3.0 nm (加速電壓 1KV) 或更佳。
Analytical condition (分析條件) :
3.0nm (5nA , 15KV, WD:10mm) 或更佳。
(2) 提供半導體式背像電子偵測器(Semiconductor type Backscattered electron detector)。
(3) 元素偵測範圍：B5 ~ U92。
(4) 能量散射光譜儀(EDS)解析度(Resolution)：133eV, 含量偵測極限： 0.5%, 可快速掃描。
(5) 波長分散式光譜儀(WDS)單通道偵測器調節控制：0 to 9.99V步進0.01V, 含量偵測極限： <0.01%
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廠商資訊
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公司名稱: JEOL (代理商)捷東股份有限公司
地址: 臺北市100忠孝東路一段112號7樓 電話:02-23952978
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儀器相片或圖示
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