可用於丙烯醯胺製造且原料轉化率高達99%的觸媒新技術

本岡山大學的研發團隊研發出用於丙烯醯胺(acrylamide)製造的新觸媒,新觸媒可達到全球最高等級的活性,且觸媒成本可大幅降低至1/100,可兼顧高機能及高經濟性的水準。新觸媒係於中性條件下的水溶媒中,可與80℃以下的丙烯腈(acrylonitrile)進行水和,達到環保型綠色化學品的目標。Acrylamide於全球每年約有60萬公噸的市場規模,相關業界都引頸期盼新觸媒的問世。.........

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『生質材料產業化聯誼會』成立
工研院材化所王先知副所長出任理事

國內產學研界為因應全球暖化、氣候變遷及環保趨勢需求,日前(10/1)在台北國際會議中心首度召開『生質材料產業化聯誼會』成立大會,綠色概念的相關廠商,包括ICT系統廠及相關上游化學化工材料31家業者積極參與,共同推舉工研院材化所副所長王先知出任首任會長,明基電通產品技術中心總經理陳其宏、及台橡公司副總經理陳重裕兩人擔任副會長,正式宣告台灣生質材料產業的啟動,齊力搶攻近100億美元產值的全球生質材料市.........

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NEDO成功開發出室溫可運作之全光奈米開關

日本新能源產業技術總合開發機構 (NEDO)與東京大學研究所的大津元一教授等人,共同開發出世界第一,利用奈米尺寸近接物質的近場光,在室溫下運作的全光奈米開關。新製品和以往的電子元件相比,是消費電力只需1萬分之一的光元件。NEDO計畫與企業合作以2020年為目標,達成以全部光構成的全光型迴路之實用化。.........

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可於大氣中穩定驅動的n型有機薄膜電晶體新技術

九州工業大學的研發團隊研發出可在大氣中長時間且穩定驅動的n型有機薄膜電晶體(OTFT)新技術。新技術係於大氣中穩定存在的新款n型有機半導體材料,電子移動度為0.1cm2/Vs、Switching Ratio也達到6位數。該研發團隊將新材料與p型半導體結合,形成互補型理論反轉電路(inverter),證實輸入電壓及輸出電壓比達到40以上良好的反轉特性,期待可應用於RFIDTag及IC卡等應用領域。.........

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完全不使用鏑原料即可提高釹磁石頑磁力的新技術

日本物質/材料研究機構研發出完全不使用鏑(Dysprosium),還可提高釹磁石(Neodymium Magnet)原料粉頑磁力的新技術。新技術係於原料粉上使低融點的釹合金擴散,並仔細使其組成微細結晶的界面,該技術可成功地將頑磁力提高至20kOe。對於高耐熱性要求的車載用釹磁石領域,鏑的添加是不可或缺的材料之一,不過供給端中國訂出嚴苛的出口規定,擔心將來會出現供給不足的隱憂,於是積極尋求不使用鏑材.........

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可大幅降低履歷損失的釔系超導線材新發明

國際超導產業技術研究中心(ISTEC)與九州大學合作,利用研發中的釔(Yttrium;Y)系超導電線材,發現了磁氣相轉移的新現象。藉著該現象之發現,可大幅降低履歷損失,成為可從根本檢視低損失化的重要方法。本次的新發現,可帶來各種超導應用開發的革新技術,並且利用釔系超導線材,有助於以低成本製作出電氣機器。.........

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高品質大口徑化氮化鎵單晶之製造技術

日本旭化成及東北大學合作,研發出更高品質氮化鎵(GaN)單晶的製造技術。單晶的大口徑化技術,可使用碳化矽(SiC)藉著高溫動作製造出氮化鎵元件,並且也開發出可承受更高溫度及壓力的autoclave(結晶育成裝置),將利用新設備製造出2inch的單晶,除了進行元件的有效性驗證之外,期望可在4年後達到實用化的目標。.........

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新型熱電變換材料,微小的溫度差也能發電

日本九州工業大學與九州大學共同研究開發新型熱電變換材料,利用如室溫般微小的溫度差發電,其特徵是比現有產品多了微小孔洞,熱電變換效率提高2倍,未來將嘗試開發裝置在衣料或家電用品上也能發電之熱電變換元件。.........

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新透明導電膜材料的開發

日本神奈川科學技術學院的長谷川哲也研究團隊,與旭硝子(Asahi Glass)共同開發了新型透明導電氧化物材料;這種材料是在二氧化鈦(TiO2)中摻雜微量的鈮(Nb)而製成,在玻璃基板上可以得到與氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)接近的導電性及透明性。鈮雖然和銦一樣屬於稀有金屬,但在這裡只是摻雜物質,用量很少,所以比較沒有資源匱乏的問題。.........

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可於低溫下進行表面改質的鈦合金新技術

日本關西大學的研發團隊,使用化學/水複合處理技術,於180℃的低溫條件下,利用薄膜研發出可用於人工股關節的鈦合金表面改質技術。該技術於鈦金屬表面形成氧化鋯薄膜,使之與身體的骨骼容易產生剝離,若形成氧化鈦薄膜,還有助於不需使用接著劑的植入工程(Implant)進展。可應用在醫療改良用途的鈦合金,因具有高度的設計自由度,研發團隊將持續進行動物實驗,以證實其可用特性。.........

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CSSC4 『國際矽晶太陽電池技術研討會』

Symposium on General Aspects of Graphene, CNT & Ultrafast Phenomena of Nanomaterials

台灣鍍膜科技協會短期課程Dr. Joseph E. Greene
課程名稱:Fundamentals of Thin Film Technology and Introduction to Nanostructures (鍍膜科技之基礎與奈米結構之介紹)

2010台灣光電科技研討會暨國科會光電學門成果發表會

International Conference on Manufacturing and Engineering Systems (ICMES 2010)

2010年奈米技術與材料研討會

China Semiconductor Technology International Conference 2011

The Fourth Asia-Pacific Light Sources Workshop 2011 (APLSW-2011) 第四屆亞太光源與照明國際研討會



會議活動 CSSC4 『國際矽晶太陽電池技術研討會』

會議地點 台大集思會議中心-蘇格拉底廳
日期 27-29 October 2010
相關聯結   http://www.tpvia.org.tw
1791_CSSC4議程&報名表-bcy 1 .pdf





會議活動 Symposium on General Aspects of Graphene, CNT & Ultrafast Phenomena of Nanomaterials

會議地點 中央研究院(台北), Academia Sinica, Taipei
日期 15‐16 November 2010
相關聯結   http://anna-taiwan.rcas.sinica.edu.tw/sym/
1808_ANNA國際研討會中文海報(final).pdf





會議活動 台灣鍍膜科技協會短期課程Dr. Joseph E. Greene
課程名稱:Fundamentals of Thin Film Technology and Introduction to Nanostructures (鍍膜科技之基礎與奈米結構之介紹)


會議地點 國立台北科技大學綜合科館第三演講廳
日期 13 November 2010
相關聯結   http://www.tact.org.tw





會議活動 2010台灣光電科技研討會暨國科會光電學門成果發表會
Call for Paper
會議地點 南台科技大學
日期 3-4 December 2010(論文截稿時間將由10月4日延期至10月18日)
相關聯結   http://oe.stut.edu.tw/2010OPT/index.php





會議活動 International Conference on Manufacturing and Engineering Systems (ICMES 2010)

會議地點 Southern Taiwan University
日期 16-18 December 2010
相關聯結   http://www.ic-mes.com/





會議活動 2010年奈米技術與材料研討會

會議地點 大葉大學H613國際會議廳工學大樓
日期 17 December 2010
相關聯結   http://www.dyu.edu.tw/~nano/





會議活動 China Semiconductor Technology International Conference 2011
徵求論文
會議地點 Shanghai, China
日期 13-14 March 2011
相關聯結   http://www.semi.org.cn/cstic





會議活動 The Fourth Asia-Pacific Light Sources Workshop 2011 (APLSW-2011) 第四屆亞太光源與照明國際研討會
徵求論文
會議地點 National Central University, Jhongli, Taoyuan, Taiwan
日期 13-14 April 2011
相關聯結   http://www.dop.ncu.edu.tw/aplsw2011
1807_APLSW-2011_Call-for-papers.pdf




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