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論文標題
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矽奈米線中磊晶二矽化鈷及矽化鎳之均質成核研究
Homogeneous Nucleation of Epitaxial CoSi2 and NiSi in Si Nanowires
Yi-Chia Chou*, Wen-Wei Wu*, L. J. Chen, and K. N. Tu
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內容摘要
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本研究主要利用臨場超高真空穿透式電子顯微鏡針對目前在奈米電子相關領域備受矚目的矽基材料-低電阻率金屬矽化物奈米線之成長行為進行觀察及動力學研究。低電阻率金屬矽化物在電子元件中扮演著重要的角色，特別是製程上較受重視的二矽化鈷
(CoSi2)以及矽化鎳 (NiSi) 具自行對準特性之金屬矽化物。近來研究發現NiSi奈米線其電阻率低，可靠度高，極有希望在微小元件中取代現有的金屬導線而引起重視。另外，異質接面是快速元件與光電元件的關鍵構成要素。而silicide/Si/silicide之奈米線異質結構(nanowire
heterostructures)可望於微電子製程中取代傳統奈米金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect
transistors, MOSFET)。部分研究亦證實
圖:高分辨穿透式電子顯微鏡下 矽化物/矽之界面反應及對應之界面成長曲線。
NiSi/Si/NiSi可應用於生物檢測器。近年來許多矽化物奈米線之研究亦由於在新世代奈米元件中可望取代銅導線而成為重要焦點。在此趨勢下，更發展出利用矽奈米線製作奈米尺度之電晶體，使其具有取代積體電路上金氧半電晶體之潛力，並對微電子工程及高敏度的生物檢測器帶來新的契機。在相關金屬矽化物奈米線之研究領域中，近來有許多相關的重要成果刊登於知名頂尖期刊，顯見其重要性。本研究之最主要貢獻不僅成功製備出高品質的單晶金屬矽化物奈米線，並製備高品質的silicide/Si奈米線異質結構，其界面可達到原子級的平整，由於此平整界面對電性可望造成極大的影響，因此本研究也進一步地觀測如何成長此高品質的奈米結構，了解其成長機制，對將來製程上之條件提供最佳的建議。此結構，預期將促成世界上最小電晶體之誕生並將對電子元件的效能帶來強烈衝擊。
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主要作者
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 Department
of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan
E-mail: wwwu@mail.nctu.edu.tw
Nano Letters, 9, 2337-2342 (2009).
6/192 (MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY)
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期刊名稱
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Nano Letters, 9, 2337-2342 (2009)
6/192 (MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY)
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全文連結
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http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl900779j
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